				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제6호

제10호 2024.09.23.

	｢산업부, 연대협력사업 선정평가위원회 참석(3개분야)｣ 2024.09.12.(목) / 한국기술센터

□ 1. 기술개발 : 주관기관 (원익큐엔씨)

: 반도체 건식 식각 장비용 내플라즈마 차세대 쿼츠글라스

□ 2. 인력양성 : 주관기관 [구미전자정보기술원(반도체센터+추진단)]

: 국가첨단전략산업 반도체 특화단지 소재부품장비 특화 인력양성

□ 3. 첨단반도체 소재·부품 시험평가 인프라 구축

: 국가첨단전략(반도체) 특화단지 지역에서 입주기업을 대상으로 기술개발 및 사업화를 지원할 수

있는 반도체 소재·부품 시험평가 기반 구축

♣ 3개 과제 모두 선정

□ 참석자 : 산업체(소재・부품・장비) 및 산・학・연 관계자 60명 내외 □ 주최 : 한국반도체디스플레이기술학회 / 반도체디스플레이협의체(공동) □ 목적 : ① 반도체&디스플레이 소재부품장비 산업체 애로기술 의견 수렴 및 효율적인 해소 방안 마련을 위한 전문가 토의 ② 소부장산업 기술분야 전문가 모임 정례화 및 산・학・연・관 상생 협력의 장, 최신 기술 정보공유 등

	｢2024 하반기 네트워킹 데이 참가｣ 2024.09.12.(목) / 그래비티 서울 판교

□ 경북・구미 반도체 특화단지 추진단 현황 및 진행상황 안내 □ 하반기 기획사업 및 반도체산업 전망설명 □ 반도체 인프라 구축(Complex) 계획 및 R&D 사업 진행상황 안내 등

	｢경북・구미 반도체특화단지 현황 관련, 한국경제 인터뷰｣ 2024.09.20.(금) / 반도체추진단 단장실

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

	｢반도체 첨단패키징 기술강국 도약 시동｣ 2024.09.11.(수) / 산업통상자원부

□ 목적 :  첨단패키징 예타를 계기로 첨단패키징 경쟁력 확보 및 선 순환적 반도체

후 공정 산업 생태계 구축을 위한 민관 공동 협력 강화

□ 지원 : ’25~‘31(7년) / 총사업비 약 2,744억 원

□ 배경 : 디지털 전환에 따른 고성능·다기능 반도체 수요증가에 따라 미세공정의 기술적

한계 극복을 위한 핵심 기술로 첨단패키징 부상

□ 내용 :

□ 구성: ①기술선도형, ②기술자립형, ③글로벌 기술확보형

□ * 첨단패키징 시장전망(’23, YOLE) : (’22년)443억불 → (‘28년)786억불(CAGR 10%)

	｢초수직' 메모리홀로 1000단 NAND 고속 가공을 실현하기 위해｣ 2024.09.02.(월) / 수원컨벤션센터 102호 회의실

□ 서론 : "200단 이상의 낸드플래시는 메모리 홀의 종횡비가 50:1을 넘는다. 게다가 300mm

웨이퍼 한 장에 1조 개 이상의 메모리 홀을 거의 완벽하게 식각 필요.

□ 내용 : 현재 램리서치의 HAR 절연체 에칭 챔버는 7500대 이상이 낸드플래시 제조에                  사용되고 있으며, 이 중 약 1000대에 Cryo가 적용.

- Cryo 3.0은 최대 10μm 깊이까지 가공할 수 있고 에칭 속도는 상온 공정 대비 2.5배 빠르다.

메모리홀 최상단 CD가 108nm, 최하단 CD가 99nm로 양자의 차이(ΔCD)가 9nm로 매우 작은

것도 특징이다. 상온 공정 적용 시 ΔCD는 30nm 정도라고 한다. 즉, 종횡비가 높은 구멍을          '똑바로' 가공할 수 있다는 뜻이다. "Cryo 3.0에서는 종횡비 100:1의 홀을 매우 수직으로            고속으로 가공할 수 있음

	｢떼제베(TGV) 리더' 필옵틱스, 유리 기판 시장에 공격적으로 진출｣ 2024.09.7.(토) / IC&PCB UNION

□ 서론 : TGV(Through Glass Via) 솔루션인 TRONADA로 반도체 산업에 크게 진출

□ 내용 : 필옵틱스는 9월 4일부터 6일까지 인천 송도에서 개최된 KPCA Show 2024에서

수백 명의 업계 전문가들에게 트로나다를 선보임.

- 유리 기판은 매끄러운 표면, 넓은 가공 영역, 기판 두께를 25% 줄일 수 있는 기능 등      고급 패키징을 위한 주요 이점을 제공. 기존 재료에 비해 전력 소비를 30% 이상 줄임.     TRONADA가 탁월한 균일하고 결함이 없는 마이크로 홀을 드릴링함

https://www.ic-pcb.com/tgv-leader-philoptics-expands-aggressively-into-the-glass-substrate-market.html?fbclid=IwY2xjawFKVRxleHRuA2FlbQIxMQABHUkr2AvCV3tmQ-d67wKpyV5ptJgWq6-1iBlPYmO2yG8QmUktQY1gglJaVQ_aem_9PzQTjci4lkVG_fZOHRUzQ

	｢삼성전자·SK하이닉스 등 '반도체 패키징 R&D' 협력키로｣ 2024.09.11.(수) /이데일리

□ 서론 : 산업통상자원부는 11일 서울 엘타워에서 반도체 첨단패키징 산업 생태계 강화를 위한

반도체 산업 협력체계 구축 업무협약(MOU)을 체결

□ 내용 :  MOU는‘반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업’의 성공적인 추진을 위한 것으로,

삼성전자, SK하이닉스, LG화학, 하나마이크론, 한미반도체등 10개 기관이 참여

산업부는 앞으로 반도체 첨단패키징 기술강국 도약을 위해 △첨단패키징 초격차 선도 기술개발.

△ 소부장 및 OSAT 기업의 핵심 기술 확보

△ 차세대 기술 선점을 위한 해외 반도체 전문 연구기관과의 협력 체계 구축 등을 추진할 계획

https://v.daum.net/v/20240911110203732

	｢'세계 최초' 300mm GaN 웨이퍼 기술 개발, Infineon｣ 2024.09.11.(수)/EE Times Japan

□ 서론 : 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies, 이하 인피니언는 2024년 9월 11일),

세계최초로 GaN(질화갈륨) 웨이퍼 기술을 개발했다고 발표

□ 내용 : 인피니언의 기존 300mm 실리콘 양산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술의 시험

도입에 이상적이며, 신속한 구현과 효율적인 자본 활용을 가능하게 한다"고 말했다.

완전히 확장된 300mm GaN 제조는 온 저항 수준에서 실리콘과 동등한

GaN 비용 으로 생산

- 인피니언은 기존 300mm 실리콘 웨이퍼와 200mm GaN 웨이퍼 생산 능력을 활용하고 있다.

향후 시장 수요에 맞춰 GaN 생산 능력을 더욱 확대할 계획이다.

회사 측은 "300mm GaN 제조를 통해 2030년까지 수십억 달러에 달할 것으로 예상되는

성장 중인 GaN 시장을 주도할 것"이 라며 "300mm GaN을 도입함으로써 기존 솔루션을

강화 하고, 비용 효율적인 가치 제안과 고객 시스템의 모든 영역에 대응할 수 있는 능력을

갖춘 새로운 솔루션 및 애플 리케이션 분야를 구현할 것“